证券时报网讯，在全球半导体产业的变革浪潮中，中国力量正强势崛起。6月12日晚间，全球氮化镓行业龙头——英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称：英诺赛科）正式向香港证券交易所提交上市申请，标志着这家第三代半导体领域的巨头即将在国际资本舞台上崭露头角。
引领行业创新，技术优势奠定市场领先地位
近年来，由于传统半导体制程工艺逐渐接近物理极限，“摩尔定律”演进开始放缓，半导体业界纷纷在新型材料和器件上寻求突破，“第三代半导体”因此成为了市场关注焦点。与传统的硅基器件相比，以氮化镓为代表的第三代半导体从材料端至器件端的性能优势突出，具有卓越的高频特性和高效率，因此具备广阔的应用前景。
自成立以来，英诺赛科始终走在全球功率半导体革命的前沿，致力于推动氮化镓技术的创新与应用。经过多年的研发深耕，英诺赛科已在氮化镓芯片设计领域积累了丰富的技术经验，拥有自主知识产权，形成了完整的技术体系。截至最后实际可行日期，公司在全球范围内已拥有约700项专利及专利申请，涵盖芯片设计、器件架构、晶圆制造、封装及可靠性测试等多个关键领域。
同时，作为全球首个实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，英诺赛科不仅拥有业界领先的制造能力，同时也是全球唯一能够大规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的IDM公司。其产品涵盖分立器件、集成电路、晶圆以及模组等多种形态，广泛应用于消费电子、可再生能源、工业、汽车电子和数据中心等多个领域，能为各行各业客户提供多元化、定制化的服务，竞争实力强大。
技术创新是英诺赛科的核心竞争力。公司通过与消费电子、汽车、可再生能源等行业知名企业的深度合作，不断拓展氮化镓产品的应用边界，推出了一系列创新产品，如双向氮化镓芯片V-GaN系列，为行业带来了独特价值。英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆，相比传统6英寸晶圆，晶粒产出提升80%，成本降低30%，体现了其在成本控制与生产效率上的绝对优势，为公司赢得了“全球最大的氮化镓产能”的桂冠。
凭借强大的技术创新实力及领先的量产能力，英诺赛科已成为氮化镓功率半导体产品的全球领导者。按氮化镓分立器件出货量统计，公司于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率达42.4%。
第三代半导体国产化提速，英诺赛科有望“乘风而起”
近年来，国家高度重视第三代半导体产业发展，密集出台多项政策，鼓励企业深度布局。2016年7月，国务院《关于印发“十三五”国家科技创新规划的通知》明确发展第三代半导体芯片；2019年11月工信部将第三代半导体产品写入《重点新材料首批次应用示范指导目录》；2021年3月，“十四五”规划中特别提出第三代半导体要取得发展；2021年8月，工信部将第三代半导体纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划，一系列政策红利为企业营造了有利的成长环境。2022年，各级政府共发布了29项相关政策，省级层面、市、区级层面均有涉及，政策扶持力度之大，凸显了国家对第三代半导体国产化的决心。
另一方面，随着国内新能源汽车、风电、光伏等优势产业的兴起，也为氮化镓功率半导体的发展带来了巨大的市场机遇。据权威机构预测，氮化镓功率半导体行业规模由2019年的人民币1.394亿元快速增长至2023年的人民币18亿元，复合年增长率为88.5%，并预期将进一步按98.5%复合年增长率加速增长，由2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的人民币501.42亿元，发展空间广阔。其中，消费电子、可再生能源、新能源汽车和数据中心等细分市场均展现出良好的增长潜力。
作为行业先锋，英诺赛科有望伴随行业快速发展。招股书显示，公司的氮化镓产品在各应用领域获得客户的认可，使公司于往绩记录期间实现强劲的收入增长，公司收入由2021年的人民币6800万元增加99.7%至2022年的人民币1.36亿元，并进一步增加335.2%至2023年的人民币5.92亿元。
登陆国际资本市场，开启全球化征程
目前，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓生产基地，截至2023年末，公司产能达到每月10000片晶圆，在供应端建立了显著的优势。其强大的量产能力结合先进的制造工艺，为公司带来了显著的先发优势。
产业布局方面，公司除了在苏州、珠海建立工厂外，同时在硅谷、首尔、比利时等地设立子公司，公司在发展中国内地市场的同时，不断拓展境外市场。2023年，英诺赛科已向国内和海外（包括亚洲、欧洲和北美）约100名客户提供了氮化镓产品，其中，境外销售收入近人民币5800万元，约占同期总收入的10%。
借助香港作为国际金融中心的优势，英诺赛科能够更好地对接国际资本，进一步为后续的海外扩张和国际合作打下坚实基础。展望未来，公司表示将持续推进消费电子、数据与计算、新能源、智能汽车、工业与家电等领域的应用开发，提高氮化镓的市场渗透率，推动行业发展，成为全球功率半导体领域的领先企业，为中国第三代半导体产业高质量发展贡献力量。（张协新）
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